Dissertation: Zeitaufgeloste Charakterisierung und Modellierung von Degradationsmechanismen in Leistungstransistoren (w/m/div) Auf einen Blick An einer Universitat promovieren und gleichzeitig Berufserfahrung sammeln ein idealer Start fur Ihre Karriere. Bringen Sie Ihre Forschung bei uns voran und profitieren Sie von unserem grosen Netzwerk an Doktorand*innen und der Expertise einer Universitat. Die Betreuung erfolgt sowohl durch Professor*innen als auch durch engagierte Infineon Mitarbeiter*innen. Kurzinfo Standort Villach Entry level 0 1 Jahr Job ID HRC0728943 Startdatum zum nachstmoglichen Zeitpunkt Art Vollzeit Befristung Befristet Stellenbeschreibung Ihre Aufgaben im Rahmen der Dissertation: * Einschulung in Halbleiterphysik, SiC, GaN und Si Technologieentwicklung * Aufbau und Erweiterung einer Gate Spannung Drain Strom Regelungsschaltung zur Bestimmung der Einsatzspannung eines Si Transistors innerhalb 100ns * Bewertung von Technologie und Prozessanderungen von Si Trench Leistungstransistoren * Modellierung der Anderung der Einsatzspannung fur beliebige Belastungsprofile mittels Comphy.eu Forschungsthemen: Infineon Technologies Austria in Villach entwickelt Leistungstransistoren auf Basis von Siliciumcarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) und Silicium (Si). Die Si Trench Transistoren erfullen bereits die Anforderungen an Zuverlassigkeit fur bestehende Anwendungen. Um jedoch neue Markte zu erschliesen, ist es entscheidend, die Alterung dieser Transistoren besser zu verstehen. Besonders Anforderungen, in denen die Transistoren unter extremen Bedingungen eingesetzt werden, erfordern ein tieferes Verstandnis der Degradationsprozesse, um die Lebensdauer praziser bestimmen zu konnen. Aktuell wird die Lebensdauer in DC Belastungstests uberpruft, obwohl die Applikationsbelastung bei etwa 100 kHz liegt. Es ist daher notwendig zu validieren, ob die mikrophysikalischen Prozesse, die bei AC Belastung auftreten, denjenigen bei DC Belastung entsprechen. Zu diesem Zweck soll eine Messschaltung auf Wafer Ebene verwendet und weiterentwickelt werden, um AC und DC Belastungen mit einer Zeitauflosung von ca. 100 ns zu ermoglichen. Dadurch kann der gesamte Frequenzbereich grundlich untersucht werden. Unser universitarer Partner fur diese Arbeit ist die TU Wien, mit Prof. Michael Waltl (Institut fur Mikroelektronik der TU Wien), der die Betreuung ubernimmt. Beginn: 01.05.2024 (oder spater) Vollzeitbeschaftigung: 38.5 Std/Woche Dauer: 3 Jahre Ihr Profil Promovierende bei Infineon sind Forschungsenthusiasten, ....deren Interesse die wissenschaftliche Forschung in Verbindung mit der Leidenschaft fur die innovativen Produkte und Anwendungen von Infineon ist, ....die gerne in Kombination mit einer Infineon Partnerhochschule in einem industriellen Umfeld arbeiten, ....die eine offene Kommunikation und den Beitrag eines internationalen Umfelds schatzen, ....und die damit ausgezeichnete Kandidatinnen/Kandidaten fur eine weitere akademische oder industrielle Karriere na